Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SIRA52DP-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIRA52DP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12920238
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIRA52DP-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7150 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
48W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIRA52
Технический паспорт и документы
Чертежи изделий
PowerPak SO-8 Drawing
Технические характеристики
SIRA52DP-T1-GE3
HTML Спецификация
SIRA52DP-T1-GE3-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIRA52DP-T1-GE3CT
SIRA52DP-T1-GE3TR
SIRA52DP-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
RS3L045GNGZETB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1173
Номер части
RS3L045GNGZETB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.25
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RQ3G100GNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
112698
Номер части
RQ3G100GNTB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.14
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RS1G150MNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
RS1G150MNTB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.32
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RQ3E180GNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4770
Номер части
RQ3E180GNTB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.21
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RS1G260MNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2296
Номер части
RS1G260MNTB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.77
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQ3461EV-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
SIA430DJT-T4-GE3
MOSFET N-CH 20V 12A/12A PPAK
SIR873DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
SI4632DY-T1-E3
MOSFET N-CH 25V 40A 8SO