Производитель Номер продукта:
SIRA58ADP-T1-RE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIRA58ADP-T1-RE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Подробное описание:
N-Channel 40 V 32.3A (Ta), 109A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
12000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12965558
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIRA58ADP-T1-RE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
32.3A (Ta), 109A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.65mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3030 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5W (Ta), 56.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIRA58
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIRA58ADP-T1-RE3TR
742-SIRA58ADP-T1-RE3CT
742-SIRA58ADP-T1-RE3DKR
SIRA58ADP-T1-RE3DKR
SIRA58ADP-T1-RE3TR-DG
SIRA58ADP-T1-RE3DKR-DG
742-SIRA58ADP-T1-RE3TR
SIRA58ADP-T1-RE3CT-DG
SIRA58ADP-T1-RE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD60R600PFD7SAUMA1
CONSUMER PG-TO252-3
PSMN3R5-80YSFX
NEXTPOWER 80 V, 3.5 MOHM, 150 A,
SI7117DN-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
