Производитель Номер продукта:
SIRA64DP-T1-RE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIRA64DP-T1-RE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
12218 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12919730
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIRA64DP-T1-RE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.1mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3420 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
27.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIRA64
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIRA64DP-T1-RE3TR
SIRA64DP-T1-RE3CT
SIRA64DP-T1-RE3DKR
SIRA64DP-T1-RE3-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PMZ600UNELYL
MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
SQ3456BEV-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
SI7810DN-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8