Производитель Номер продукта:
SIRC16DP-T1-RE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIRC16DP-T1-RE3-DG
Описание:
N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET W/SC
Подробное описание:
N-Channel 25 V 57A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 54.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
5880 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12977899
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIRC16DP-T1-RE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
57A (Ta), 60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
0.96mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5150 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
Schottky Diode (Body)
Рассеиваемая мощность (макс.)
5W (Ta), 54.3W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SIRC16DP-T1-RE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHL620STRL-GE3
LOGIC MOSFET N-CHANNEL 200V
SIHB30N60ET5-GE3
N-CHANNEL 600V
IRFR220TRPBF-BE3
N-CHANNEL 200V
