SIRS4401DP-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SIRS4401DP-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIRS4401DP-T1-GE3-DG

Описание:

P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Подробное описание:
P-Channel 40 V 46.8A (Ta), 198A (Tc) 7.4W (Ta), 132W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Инвентаризация:

10980 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12998803
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIRS4401DP-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
46.8A (Ta), 198A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
588 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
21850 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
7.4W (Ta), 132W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIRS4401

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SIRS4401DP-T1-GE3DKR
742-SIRS4401DP-T1-GE3TR
742-SIRS4401DP-T1-GE3CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
taiwan-semiconductor

TSM180N03CS

30V, 9A, SINGLE N-CHANNEL POWER

taiwan-semiconductor

TSM4436CS

60V, 8A, SINGLE N-CHANNEL POWER

vishay-siliconix

SISS5112DN-T1-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

taiwan-semiconductor

TSM340N06CH

60V, 25A, SINGLE N-CHANNEL POWER