Производитель Номер продукта:
SIS178LDN-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIS178LDN-T1-GE3-DG
Описание:
N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Подробное описание:
N-Channel 70 V 13.9A (Ta), 45.3A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Инвентаризация:
8589 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12950367
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIS178LDN-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
70 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13.9A (Ta), 45.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
28.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1135 pF @ 35 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.6W (Ta), 39W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SIS178LDN-T1-GE3DKR
742-SIS178LDN-T1-GE3CT
742-SIS178LDN-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMP3007SCG-13
MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
NTE2991
MOSFET PWR N-CH 55V 110A TO-220
ZXMP10A17KTC
MOSFET P-CH 100V 2.4A TO252-2
