Производитель Номер продукта:
SIS822DNT-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIS822DNT-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Подробное описание:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Инвентаризация:
12919572
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIS822DNT-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
24mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
435 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
15.6W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта
SIS822
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
RF4E080BNTR
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2036
Номер части
RF4E080BNTR-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.22
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RF4E075ATTCR
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7776
Номер части
RF4E075ATTCR-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.19
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI7388DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
SIHF5N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220
SQ4050EY-T1_GE3
MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC
