Производитель Номер продукта:
SIS892DN-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIS892DN-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Подробное описание:
N-Channel 100 V 30A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Инвентаризация:
7206 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12787261
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIS892DN-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
29mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
611 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта
SIS892
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIS892DNT1GE3
SIS892DN-T1-GE3CT
SIS892DN-T1-GE3TR
SIS892DN-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIR818DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
SIHH21N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 20A PPAK 8 X 8
SISA12ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8