Производитель Номер продукта:
SIS990DN-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIS990DN-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Подробное описание:
Mosfet Array 100V 12.1A 25W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Инвентаризация:
13827 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12921796
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIS990DN-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12.1A
Rds On (макс.) @ id, vgs
85mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
250pF @ 50V
Мощность - Макс
25W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8 Dual
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8 Dual
Базовый номер продукта
SIS990
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIS990DN-T1-GE3TR
SIS990DN-T1-GE3DKR
SIS990DN-T1-GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
CAB400M12XM3
MOSFET 2 N-CH 1200V MODULE
VEC2616-TL-H
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A SOT28
MCH6661-TL-W
MOSFET 2N-CH 30V 1.8A SC88FL
