Производитель Номер продукта:
SISB46DN-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SISB46DN-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212
Подробное описание:
Mosfet Array 40V 34A (Tc) 23W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Инвентаризация:
8024 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12917456
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SISB46DN-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
11.71mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1100pF @ 20V
Мощность - Макс
23W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8 Dual
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8 Dual
Базовый номер продукта
SISB46
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SISB46DN-T1-GE3CT
SISB46DN-T1-GE3DKR
SISB46DN-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQJ952EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 23A PPAK SO8
SI4565ADY-T1-E3
MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8SOIC
SIA914DJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
