Производитель Номер продукта:
SISF20DN-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SISF20DN-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 14A/52A PPAK 12
Подробное описание:
Mosfet Array 60V 14A (Ta), 52A (Tc) 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Инвентаризация:
12920684
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SISF20DN-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
14A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
13mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
33nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1290pF @ 30V
Мощность - Макс
5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Базовый номер продукта
SISF20
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SISF20DN-T1-GE3TR
SISF20DN-T1-GE3DKR
SISF20DN-T1-GE3CT
2266-SISF20DN-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIZ700DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR
SI9933CDY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
NX138AKSF
MOSFET 2N-CH 60V 0.17A 6TSSOP