Производитель Номер продукта:
SISH108DN-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SISH108DN-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH
Подробное описание:
N-Channel 20 V 14A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Инвентаризация:
5983 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12787554
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SISH108DN-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen II
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
14A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.9mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±16V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8SH
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8SH
Базовый номер продукта
SISH108
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SISH108DN-T1-GE3TR
SISH108DN-T1-GE3CT
SISH108DN-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SUM36N20-54P-E3
MOSFET N-CH 200V 36A TO263
SUD50P10-43L-E3
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
SQM200N04-1M8_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
