Производитель Номер продукта:
SISHA04DN-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SISHA04DN-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 30.9A/40A PPAK
Подробное описание:
N-Channel 30 V 30.9A (Ta), 40A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Инвентаризация:
5846 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12966141
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SISHA04DN-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30.9A (Ta), 40A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.15mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3595 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8SH
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8SH
Базовый номер продукта
SISHA04
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
2266-SISHA04DN-T1-GE3TR
SISHA04DN-T1-GE3CT
SISHA04DN-T1-GE3TR
SISHA04DN-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI1022R-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
SQD100N04-3M6L_GE3
MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
SUD90330E-GE3
MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
