Производитель Номер продукта:
SISS08DN-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SISS08DN-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK
Подробное описание:
N-Channel 25 V 53.9A (Ta), 195.5A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Инвентаризация:
5940 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12915778
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SISS08DN-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
53.9A (Ta), 195.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.23mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3670 pF @ 12.5 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8S
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8S
Базовый номер продукта
SISS08
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SISS08DN-T1-GE3DKR
SISS08DN-T1-GE3CT
SISS08DN-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI6463BDQ-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
SI3457CDV-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
SQA405EJ-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 10A PPAK SC70-6
