Производитель Номер продукта:
SISS28DN-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SISS28DN-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
Подробное описание:
N-Channel 25 V 60A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Инвентаризация:
5980 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12786237
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SISS28DN-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.52mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3640 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
57W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8S
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8S
Базовый номер продукта
SISS28
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SISS28DN-T1-GE3DKR-DG
SISS28DN-T1-GE3TR-DG
SISS28DN-T1-GE3TR
742-SISS28DN-T1-GE3TR
SISS28DN-T1-GE3CT
742-SISS28DN-T1-GE3CT
742-SISS28DN-T1-GE3DKR
SISS28DN-T1-GE3CT-DG
SISS28DN-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQP100P06-9M3L_GE3
MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB
SISS30DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK
SIHB22N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
