Производитель Номер продукта:
SISS80DN-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SISS80DN-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
Подробное описание:
N-Channel 20 V 58.3A (Ta), 210A (Tc) 5W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Инвентаризация:
11874 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12939794
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SISS80DN-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
58.3A (Ta), 210A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
0.92mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+12V, -8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6450 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5W (Ta), 65W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8S
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8S
Базовый номер продукта
SISS80
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SISS80DN-T1-GE3TR
742-SISS80DN-T1-GE3CT
742-SISS80DN-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NVMFWS016N06CT1G
MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
NTMFS5C628NT1G
MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
NVTFWS024N06CTAG
MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
