SIUD401ED-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SIUD401ED-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIUD401ED-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET P-CH 30V 500MA PPAK 0806
Подробное описание:
P-Channel 30 V 500mA (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 0806

Инвентаризация:

12966376
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIUD401ED-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen III
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.573Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
33 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.25W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 0806
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 0806
Базовый номер продукта
SIUD401

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIUD401ED-T1-GE3CT
SIUD401ED-T1-GE3TR
SIUD401ED-T1-GE3DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
toshiba-semiconductor-and-storage

TK380A65Y,S4X

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

vishay-siliconix

SQD40081EL_GE3

MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA

vishay-siliconix

SIHB33N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TPN5R203PL,LQ

MOSFET N-CH 30V 38A 8TSON