Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SIUD406ED-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIUD406ED-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 500MA PPAK 0806
Подробное описание:
N-Channel 30 V 500mA (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 0806
Инвентаризация:
11860 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12786011
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIUD406ED-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.46Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
17 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.25W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 0806
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 0806
Базовый номер продукта
SIUD406
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SIUD406ED-T1-GE3
HTML Спецификация
SIUD406ED-T1-GE3-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIUD406ED-T1-GE3CT
SIUD406ED-T1-GE3TR
SIUD406ED-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQS460EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
SIR404DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
SIA443DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
SIRA50ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK