Производитель Номер продукта:
SIUD412ED-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIUD412ED-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Подробное описание:
N-Channel 12 V 500mA (Tc) 1.25W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 0806
Инвентаризация:
113371 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12787706
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIUD412ED-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
500mA (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.2V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
340mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
900mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.71 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
21 pF @ 6 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.25W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 0806
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 0806
Базовый номер продукта
SIUD412
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIUD412ED-T1-GE3TR
SIUD412ED-T1-GE3DKR
SIUD412ED-T1-GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQ2315ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
SIHB30N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
SIR402DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
