Производитель Номер продукта:
SIZ320DT-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIZ320DT-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 25V 30A/40A 8PWR33
Подробное описание:
Mosfet Array 25V 30A (Tc), 40A (Tc) 16.7W, 31W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
Инвентаризация:
6075 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12920234
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIZ320DT-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerPAIR®, TrenchFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc), 40A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
Мощность - Макс
16.7W, 31W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-PowerWDFN
Комплект устройства поставщика
8-Power33 (3x3)
Базовый номер продукта
SIZ320
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIZ320DT-T1-GE3DKR
SIZ320DT-T1-GE3TR
SIZ320DT-T1-GE3CT
SIZ320DT-T1-GE3-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIB911DK-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6L
SI6963BDQ-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8TSSOP
SI5938DU-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
