SIZ902DT-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SIZ902DT-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIZ902DT-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Подробное описание:
Mosfet Array 30V 16A 29W, 66W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)

Инвентаризация:

2922 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12787660
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIZ902DT-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Half Bridge)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16A
Rds On (макс.) @ id, vgs
12mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
21nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
790pF @ 15V
Мощность - Макс
29W, 66W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-PowerWDFN
Комплект устройства поставщика
8-PowerPair® (6x5)
Базовый номер продукта
SIZ902

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIZ902DT-T1-GE3DKR
SIZ902DT-T1-GE3TR
SIZ902DT-T1-GE3CT
SIZ902DTT1GE3

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SIZ988DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 40A 8PWRPAIR

vishay-siliconix

SQJQ904E-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8

vishay-siliconix

SIZF906ADT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR

vishay-siliconix

VQ1001P-2

MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP