SIZF4800LDT-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SIZF4800LDT-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIZF4800LDT-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Подробное описание:
Mosfet Array 80V 10A (Ta), 36A (Tc) 4.5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAIR® 3x3FS

Инвентаризация:

12787970
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIZF4800LDT-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Half Bridge)
Функция полевых транзисторов
Standard
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
19mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
950pF @ 40V
Мощность - Макс
4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
12-PowerPair™
Комплект устройства поставщика
PowerPAIR® 3x3FS

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SIZF4800LDT-T1-GE3TR
742-SIZF4800LDT-T1-GE3CT
742-SIZF4800LDT-T1-GE3DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SIS9446DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 40V 11.3A/34A PPAK

nexperia

PMDXB590UPEZ

MOSFET 2P-CH 20V 0.57A 6DFN

nexperia

PMCXB290UEZ

MOSFET N/P-CH 20V 0.93A 6DFN

stmicroelectronics

SH63N65DM6AG

MOSFET 2N-CH 650V 53A 9ACEPACK