Производитель Номер продукта:
SIZF918DT-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIZF918DT-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
Подробное описание:
Mosfet Array 30V 23A (Ta), 40A (Tc), 35A (Ta), 60A (Tc) 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 3.7W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
Инвентаризация:
6000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12917910
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIZF918DT-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual), Schottky
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
23A (Ta), 40A (Tc), 35A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
4mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 250µA, 2.3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22nC @ 10V, 56nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1060pF @ 15V, 2650pF @ 15V
Мощность - Макс
3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 3.7W (Ta), 50W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-PowerWDFN
Комплект устройства поставщика
8-PowerPair® (6x5)
Базовый номер продукта
SIZF918
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIZF918DT-T1-GE3-DG
742-SIZF918DT-T1-GE3TR
742-SIZF918DT-T1-GE3CT
742-SIZF918DT-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI4974DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 6A/4.4A 8SOIC
SI4816BDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
SI4804BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
