Производитель Номер продукта:
SIZF928DT-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIZF928DT-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 33A 8PWRPAIR
Подробное описание:
Mosfet Array 30V 33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc) 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
Инвентаризация:
6074 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12958805
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIZF928DT-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.45mOhm @ 10A, 10V, 750µOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
-
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
-
Мощность - Макс
3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-PowerWDFN
Комплект устройства поставщика
8-PowerPair® (6x5)
Базовый номер продукта
SIZF928
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SIZF928DT-T1-GE3TR
742-SIZF928DT-T1-GE3CT
742-SIZF928DT-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MCS8804-TP
MOSFET 2N-CH 20V 8A 8TSSOP
F445MR12W1M1B76BPSA1
SIC 4N-CH 1200V 25A AG-EASY1B
CAB530M12BM3
SIC 2N-CH 1200V 530A MODULE
