Производитель Номер продукта:
SQ1431EH-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQ1431EH-T1_GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 3A SC70-6
Подробное описание:
P-Channel 30 V 3A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Инвентаризация:
16286 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12918060
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQ1431EH-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
175mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.5 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
205 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SC-70-6
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Базовый номер продукта
SQ1431
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SQ1431EH-T1-GE3DKR
SQ1431EH-T1_GE3CT
SQ1431EH-T1-GE3TR-DG
SQ1431EH-T1_GE3TR
SQ1431EH-T1-GE3TR
SQ1431EH-T1-GE3DKR-DG
SQ1431EH-T1-GE3
SQ1431EHT1GE3
SQ1431EH-T1-GE3CT
SQ1431EH-T1-GE3CT-DG
SQ1431EH-T1_GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHG33N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 31.6A TO247AC
SIA450DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 240V 1.52A PPAK
SI5853DC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8