SQ1464EEH-T1_GE3
Производитель Номер продукта:

SQ1464EEH-T1_GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SQ1464EEH-T1_GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Подробное описание:
N-Channel 60 V 440mA (Tc) 430mW (Tc) Surface Mount SC-70-6

Инвентаризация:

37190 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12919649
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SQ1464EEH-T1_GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
440mA (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.41Ohm @ 2A, 1.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
4.1 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
140 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
430mW (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SC-70-6
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Базовый номер продукта
SQ1464

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SQ1464EEH-T1_GE3CT
SQ1464EEH-T1_GE3TR
SQ1464EEH-T1_GE3DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SUD19N20-90-T4-E3

MOSFET N-CH 200V 19A TO252

vishay-siliconix

SIA108DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK

vishay-siliconix

SIHB20N50E-GE3

MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK

vishay-siliconix

SI5475DC-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8