SQ2309ES-T1_BE3
Производитель Номер продукта:

SQ2309ES-T1_BE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SQ2309ES-T1_BE3-DG

Описание:

MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3
Подробное описание:
P-Channel 60 V 1.7A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Инвентаризация:

12523 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12939273
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SQ2309ES-T1_BE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Last Time Buy
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
335mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
265 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
SQ2309

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SQ2309ES-T1_BE3TR
742-SQ2309ES-T1_BE3TR-
742-SQ2309ES-T1_BE3CT
SQ2309ES-T1 BE3
742-SQ2309ES-T1_BE3DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SQ2315ES-T1_BE3

MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3

vishay-siliconix

SQ2310ES-T1_BE3

MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3

microchip-technology

APT7F120S

MOSFET N-CH 1200V 7A D3PAK

vishay-siliconix

IRFR9014TRPBF-BE3

MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK