Производитель Номер продукта:
SQ2325ES-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQ2325ES-T1_GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
Подробное описание:
P-Channel 150 V 840mA (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Инвентаризация:
749 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12786149
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQ2325ES-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
840mA (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.77Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
250 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TA)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
SQ2325
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SQ2325ES-T1_GE3DKR
742-SQ2325ES-T1_GE3CT
SQ2325ES-T1_GE3CT
742-SQ2325ES-T1_GE3TR
SQ2325ES-T1_GE3TR
SQ2325ES-T1_GE3CT-DG
SQ2325ES-T1_GE3TR-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHD5N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252AA
SUD50P04-15-E3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
SIR494DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8
