Производитель Номер продукта:
SQ2362ES-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQ2362ES-T1_GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Подробное описание:
N-Channel 60 V 4.3A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Инвентаризация:
14908 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12919821
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQ2362ES-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
95mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
550 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
SQ2362
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SQ2362ES-T1-GE3
SQ2362ES-T1_GE3-DG
SQ2362ES-T1_GE3CT
SQ2362ES-T1_GE3TR
SQ2362ES-T1_GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI7804DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8
SQP120N06-6M7_GE3
MOSFET N-CH 60V TO220AB
SUD19P06-60-GE3
MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
