Производитель Номер продукта:
SQ3481EV-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQ3481EV-T1_GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
Подробное описание:
P-Channel 30 V 7.5A (Tc) 4W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Инвентаризация:
4043 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12916914
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
mmCv
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQ3481EV-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Last Time Buy
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
43mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
870 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
4W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-TSOP
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Базовый номер продукта
SQ3481
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SQ3481EV-T1_GE3CT
SQ3481EV-T1_GE3-DG
SQ3481EV-T1_GE3DKR
SQ3481EV-T1_GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIR880DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SIHG73N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
SIHH21N65EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 19.8A PPAK 8X8