Производитель Номер продукта:
SQ4153EY-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQ4153EY-T1_GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Подробное описание:
P-Channel 12 V 25A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
560 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12953891
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQ4153EY-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
900mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
151 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
11000 pF @ 6 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
7.1W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
SQ4153
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SQ4153EY-T1_GE3DKR
SQ4153EY-T1_GE3TR
SQ4153EY-T1_GE3CT
SQ4153EY-T1_GE3-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SQ4153EY-T1_BE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
474
Номер части
SQ4153EY-T1_BE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.55
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFIB7N50APBF
MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3
ZVN2106ASTOA
MOSFET N-CH 60V 450MA E-LINE
SQJ850EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
