Производитель Номер продукта:
SQ7414AENW-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQ7414AENW-T1_GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8
Подробное описание:
N-Channel 60 V 18A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Инвентаризация:
12920291
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQ7414AENW-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
23mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1590 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
62W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта
SQ7414
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SQ7414AENW-T1_GE3DKR
SQ7414AENW-T1_GE3-DG
SQ7414AENW-T1_GE3CT
SQ7414AENW-T1_GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SQ7414CENW-T1_GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
25753
Номер части
SQ7414CENW-T1_GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.31
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHG33N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
SIHG35N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC
SIRA99DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK
