Производитель Номер продукта:
SQD100N02_3M5L4GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQD100N02_3M5L4GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
Подробное описание:
N-Channel 20 V 100A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
13277376
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQD100N02_3M5L4GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5500 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
SQD100
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
742-SQD100N02_3M5L4GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SQD100N02-3M5L_GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1594
Номер части
SQD100N02-3M5L_GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.54
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIDR220DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 87.7A/100A PPAK
SIB422EDK-T4-GE3
MOSFET N-CH 20V 7.1A/9A PPAK
SQD23N06-31L_T4GE3
MOSFET N-CH 60V 23A TO252AA