Производитель Номер продукта:
SQD100N03-3M4_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQD100N03-3M4_GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Подробное описание:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
12918428
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
aT8M
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQD100N03-3M4_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
124 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7349 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
136W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
SQD100
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
SQD100N03-3M4_GE3-DG
SQD100N03-3M4_GE3TR
SQD100N03-3M4_GE3CT
SQD100N03-3M4_GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPD031N03LGATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4331
Номер части
IPD031N03LGATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.51
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI3469DV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
SIE812DF-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK
SIE808DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
