Производитель Номер продукта:
SQD10N30-330H_4GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQD10N30-330H_4GE3-DG
Описание:
N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
Подробное описание:
N-Channel 300 V 10A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
1801 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12977710
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQD10N30-330H_4GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
300 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
330mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2190 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
107W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
742-SQD10N30-330H_4GE3CT
742-SQD10N30-330H_4GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SQD10N30-330H_GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2613
Номер части
SQD10N30-330H_GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.55
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR224TRPBF-BE3
N-CHANNEL 250V
SQJ454EP-T1_BE3
N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
SQ3469EV-T1_BE3
P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
