Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SQD35N05-26L-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQD35N05-26L-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252
Подробное описание:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12917199
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQD35N05-26L-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
20mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1175 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
50W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
SQD35N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SQD35N05-26L-GE3
HTML Спецификация
SQD35N05-26L-GE3-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRFR2607ZTRPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7251
Номер части
IRFR2607ZTRPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.58
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
BUK9219-55A,118
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
34805
Номер части
BUK9219-55A,118-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.56
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
SQD30N05-20L_T4GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
SQD30N05-20L_T4GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.38
Тип замещения
Parametric Equivalent
Номер детали
IRFR2405TRLPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3824
Номер части
IRFR2405TRLPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.50
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
DMNH6021SK3Q-13
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
6091
Номер части
DMNH6021SK3Q-13-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.27
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI8473EDB-T1-E1
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
SI8425DB-T1-E1
MOSFET P-CH 20V 4WLCSP
SI4418DY-T1-E3
MOSFET N-CH 200V 2.3A 8SO
SI4396DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO