Производитель Номер продукта:
SQD40030E_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQD40030E_GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CHANNEL 40V TO252AA
Подробное описание:
N-Channel 40 V 100A (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
12786933
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQD40030E_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
-
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Рабочая температура
175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
SQD40030
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
SQD40030E_GE3-DG
SQD40030E_GE3CT
SQD40030E_GE3DKR
SQD40030E_GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SUP85N15-21-E3
MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB
SISH106DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK
SIR106DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK
