Производитель Номер продукта:
SQD40N10-25_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQD40N10-25_GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Подробное описание:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
3930 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12916224
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQD40N10-25_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
25mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3380 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
136W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
SQD40
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
SQD40N10-25_GE3CT
SQD40N10-25_GE3DKR
SQD40N10-25_GE3TR
SQD40N10-25_GE3-DG
SQD40N10-25-GE3
SQD40N10-25-GE3-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQD100N02-3M5L_GE3
MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
SI7464DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
SIR876DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
