Производитель Номер продукта:
SQD50P08-28-T4_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQD50P08-28-T4_GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
Подробное описание:
P-Channel 80 V 48A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
13277366
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQD50P08-28-T4_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
28mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6035 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
136W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
SQD50
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
742-SQD50P08-28-T4_GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SQD50P08-28_GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7214
Номер части
SQD50P08-28_GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.07
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQD90P04_9M4LT4GE3
MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
SQJ474EP-T2_GE3
MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
SIHD3N50DT1-GE3
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK