SQJ162EP-T1_GE3
Производитель Номер продукта:

SQJ162EP-T1_GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SQJ162EP-T1_GE3-DG

Описание:

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Подробное описание:
N-Channel 60 V 166A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Инвентаризация:

12994119
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SQJ162EP-T1_GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
166A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3930 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SQJ162EP-T1_GE3DKR
742-SQJ162EP-T1_GE3TR
742-SQJ162EP-T1_GE3CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMJ70H600HK3-13

MOSFET BVDSS: 651V~800V TO252 T&

diodes

DMT10H4M9LPSW-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50

diodes

DMP2900UFBQ-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-