Производитель Номер продукта:
SQJ170ELP-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQJ170ELP-T1_GE3-DG
Описание:
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 60 V 63A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
3664 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12977800
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQJ170ELP-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
63A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
16.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1165 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
136W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SQJ170ELP-T1_GE3TR
742-SQJ170ELP-T1_GE3CT
742-SQJ170ELP-T1_GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQJ415EP-T1_BE3
P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SI2338DS-T1-BE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
SI2306BDS-T1-BE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
