Производитель Номер продукта:
SQJ200EP-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQJ200EP-T1_GE3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 20A PPAK SO8
Подробное описание:
Mosfet Array 20V 20A, 60A 27W, 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Инвентаризация:
9431 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12965786
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQJ200EP-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A, 60A
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
975pF @ 10V
Мощность - Макс
27W, 48W
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8 Dual
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Базовый номер продукта
SQJ200
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SQJ200EP-T1_GE3CT
SQJ200EP-T1_GE3DKR
SQJ200EP-T1_GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI4948BEY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
SI4814BDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 10A/10.5A 8SOIC
SQJ910AEP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
