Производитель Номер продукта:
SQJ208EP-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQJ208EP-T1_GE3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Подробное описание:
Mosfet Array 40V 20A (Tc), 60A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Инвентаризация:
12919443
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQJ208EP-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.4mOhm @ 6A, 10V, 3.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.3V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
33nC @ 10V, 75nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1700pF @ 25V, 3900pF @ 25V
Мощность - Макс
27W (Tc), 48W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8 Dual
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Базовый номер продукта
SQJ208
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SQJ208EP-T1_GE3CT
SQJ208EP-T1_GE3TR
SQJ208EP-T1_GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI5905DC-T1-E3
MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
SI5513DC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
SI4830ADY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
