SQJ443EP-T2_GE3
Производитель Номер продукта:

SQJ443EP-T2_GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SQJ443EP-T2_GE3-DG

Описание:

P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Подробное описание:
P-Channel 40 V 40A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Инвентаризация:

11601 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12977893
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SQJ443EP-T2_GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
29mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2030 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SQJ443EP-T2_GE3CT
742-SQJ443EP-T2_GE3DKR
742-SQJ443EP-T2_GE3TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

IRF840LCPBF-BE3

MOSFET N-CHANNEL 500V

vishay-siliconix

IRFR320PBF-BE3

N-CHANNEL 400V

vishay-siliconix

SI2312CDS-T1-BE3

N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SIHP11N80E-BE3

N-CHANNEL 800V