Производитель Номер продукта:
SQJ460AEP-T2_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQJ460AEP-T2_GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 58A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 60 V 58A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
13277356
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQJ460AEP-T2_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.7mOhm @ 10.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2654 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
68W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SQJ460
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SQJ460AEP-T2_GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SQJ460AEP-T1_BE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5888
Номер части
SQJ460AEP-T1_BE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.51
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQD40N10-25-T4_GE3
MOSFET N-CH 100V 40A TO252AA
SIHFR9310-GE3
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
SQD50N04_4M5LT4GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA