SQJ463EP-T1_GE3
Производитель Номер продукта:

SQJ463EP-T1_GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SQJ463EP-T1_GE3-DG

Описание:

MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Подробное описание:
P-Channel 40 V 30A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Инвентаризация:

1490 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12786740
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SQJ463EP-T1_GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
10mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5875 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SQJ463

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SQJ463EP-T1_GE3CT
SQJ463EP-T1_GE3DKR
SQJ463EP-T1_GE3TR
SQJ463EP-T1-GE3
SQJ463EP-T1-GE3-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK

vishay-siliconix

SQ2361AEES-T1_GE3

MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23

vishay-siliconix

SIHFR420TRL-GE3

MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK

vishay-siliconix

SIHB22N60EL-GE3

MOSFET N-CH 600V 21A TO263