Производитель Номер продукта:
SQJ465EP-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQJ465EP-T1_GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Подробное описание:
P-Channel 60 V 8A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
61 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12921285
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQJ465EP-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1140 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
45W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TA)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SQJ465
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SQJ465EP-T1_GE3CT
SQJ465EP-T1_GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AUXTIFR12N25DTRR
IC DISCRETE
AUXHAFR6215
IC DISCRETE
DMP2012SN-7
MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
