Производитель Номер продукта:
SQJ469EP-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQJ469EP-T1_GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Подробное описание:
P-Channel 80 V 32A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
8792 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12921065
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQJ469EP-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
25mOhm @ 10.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5100 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
100W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SQJ469
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SQJ469EP-T1-GE3TR
SQJ469EP-T1_GE3TR
SQJ469EP-T1-GE3-DG
SQJ469EP-T1-GE3TR-DG
SQJ469EP-T1_GE3CT
SQJ469EP-T1-GE3CT
SQJ469EP-T1-GE3CT-DG
SQJ469EP-T1-GE3DKR-DG
SQJ469EP-T1_GE3DKR
SQJ469EP-T1-GE3
SQJ469EP-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SISS26DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
2N7002L
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
SIJ400DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8
