Производитель Номер продукта:
SQJ560EP-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQJ560EP-T1_GE3-DG
Описание:
MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Подробное описание:
Mosfet Array 60V 30A (Tc), 18A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Инвентаризация:
22864 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12918267
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQJ560EP-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
N and P-Channel
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc), 18A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1650pF @ 25V
Мощность - Макс
34W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8 Dual
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8 Dual
Базовый номер продукта
SQJ560
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SQJ560EP-T1_GE3DKR
SQJ560EP-T1_GE3TR
SQJ560EP-T1_GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIA914DJ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
SI4330DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8SOIC
SI3588DV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP