Производитель Номер продукта:
SQJ570EP-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQJ570EP-T1_GE3-DG
Описание:
MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8
Подробное описание:
Mosfet Array 100V 15A (Tc), 9.5A (Tc) 27W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Инвентаризация:
581 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12918448
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQJ570EP-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
N and P-Channel
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15A (Tc), 9.5A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20nC @ 10V, 15nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
650pF @ 25V, 600pF @ 25V
Мощность - Макс
27W
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8 Dual
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8 Dual
Базовый номер продукта
SQJ570
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SQJ570EP-T1_GE3CT
SQJ570EP-T1_GE3TR
SQJ570EP-T1_GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI3993DV-T1-E3
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6TSOP
SI3552DV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
SQS944ENW-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PWRPAK1212
